SI6913DQ-T1-E3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+17 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI6913DQ-T1-E3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SI6913DQ-T1-E3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI6913DQ-T1-E3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSSOP8
  • Рассеиваемая мощность
    1,14Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    28нC
  • Ток стока
    -5,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -12В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    37мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -30А
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация