SI6562CDQ-T1-GE3

всего в наличии 27527 шт
Количество Цена
1 256 ₽
100 164 ₽
3000 147 ₽
9000 141 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+21 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI6562CDQ-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI6562CDQ-T1-GE3 от 141 рублей в наличии 27527 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI6562CDQ-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,2/-4,9А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSSOP8
  • Рассеиваемая мощность
    1/1,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    23/51нC
  • Ток стока
    4,2/-4,9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    22/30мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
    30А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация