🔥 Акция «11.11»: скидка 20%, бесплатная доставка и кешбэк 15% по промокоду BLACK1126
Каталог товаров

SI6423DQ-T1-GE3

SI6423DQ-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 9379 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 742
10 447
100 233
500 180
3000 145
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 9 379 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI6423DQ-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI6423DQ-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI6423DQ-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,2А; Idm: -30А

Ток стока в импульсном режиме -30А
Выбрано: Показать
Ток стока -8,2А
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 0,67Вт
Выбрано: Показать
Корпус TSSOP8
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±8В
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -12В
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 8,5мОм
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Заряд затвора 110нC
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти