SI6423DQ-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3805 шт
Количество Цена
1 320 ₽
10 258 ₽
100 199 ₽
500 159 ₽
3000 132 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+19 баллов
SI6423DQ-T1-GE3 от 132 рублей в наличии 3805 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI6423DQ-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,2А; Idm: -30А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSSOP8
  • Рассеиваемая мощность
    0,67Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    110нC
  • Ток стока
    -8,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -12В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    8,5мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -30А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация