Каталог товаров

SI5855DC-T1-GE3

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

SI5855DC-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI5855DC-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI5855DC-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,9А; 0,6Вт

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус 1206-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 0.6W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Корпус (люймы) 1206
Выбрано: Показать
Корпус - мм 3216
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Заряд затвора 7.7nC
Выбрано: Показать
Ток стока -1.9A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20V
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET + Schottky
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0.24Ω
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±8V
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 0.417g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти