SI5855DC-T1-GE3

SI5855DC-T1-GE3
SI5855DC-T1-GE3
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI5855DC-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 177.35 KB
Вы можете запросить у нас любое количество SI5855DC-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI5855DC-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,9А; 0,6Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    1206-8
  • Рассеиваемая мощность
    0.6W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Заряд затвора
    7.7nC
  • Ток стока
    -1.9A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    -20V
  • Тип транзистора
    P-MOSFET + Schottky
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0.24Ω
  • Напряжение затвор-исток
    ±8V
  • Вес
    0.417g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text