SI4909DY-T1-GE3

всего в наличии 4650 шт
Количество Цена
1 278 ₽
10 198 ₽
500 127 ₽
2500 106 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+15 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI4909DY-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI4909DY-T1-GE3 от 106 рублей в наличии 4650 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI4909DY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6,4А; Idm: -30А; 2,1Вт; SO8

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    2,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    63нC
  • Ток стока
    -6,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -40В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    27мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -30А
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация