SI4816BDY-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+29 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI4816BDY-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI4816BDY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; полевой; 30В

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    0,64/0,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    LITTLE FOOT®
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    Half-Bridge Power MOSFET
  • Заряд затвора
    10/18нC
  • Ток стока
    4,6/6,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2 + Schottky
  • Сопротивление в открытом состоянии
    18,5/11,5мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация