SI4488DY-T1-GE3

всего в наличии 2385 шт
Количество Цена
1 581 ₽
10 484 ₽
100 362 ₽
500 297 ₽
2500 297 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+44 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI4488DY-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI4488DY-T1-GE3 от 297 рублей в наличии 2385 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI4488DY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 2,8А; Idm: 50А; 1Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    36нC
  • Ток стока
    2,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    150В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    50мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    50А
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация