SI4477DY-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4 шт
Количество Цена
1 477 ₽
10 277 ₽
100 202 ₽
500 168 ₽
5000 146 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+21 балл
SI4477DY-T1-GE3 от 146 рублей в наличии 4 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI4477DY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -26,6А; Idm: -60А; 4,2Вт; SO8

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    4,2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    0,19мкC
  • Ток стока
    -26,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    6,2мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -60А
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация