SI4477DY-T1-GE3

всего в наличии 4108 шт
Количество Цена
1 392 ₽
10 306 ₽
100 233 ₽
1000 172 ₽
5000 142 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+21 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI4477DY-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI4477DY-T1-GE3 от 142 рублей в наличии 4108 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI4477DY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -26,6А; Idm: -60А; 4,2Вт; SO8

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    4,2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    190нC
  • Ток стока
    -26,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    6,2мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -60А
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация