SI4435FDY-T1-GE3

всего в наличии 2025 шт
Количество Цена ₽/шт
3 70
25 65
100 56
500 50
2500 48
Бесплатная доставка
и получите
+7 баллов
  • Условия
    Минимально 3 шт и кратно 3 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI4435FDY-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Купить SI4435FDY-T1-GE3 от 3 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI4435FDY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    4,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    28нC
  • Ток стока
    -12,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    30мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -32А
  • Вес
    0.165g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация