SI4435FDY-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 86 шт
Количество Цена
1 149 ₽
50 68 ₽
500 43 ₽
2500 36.4 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
SI4435FDY-T1-GE3 от 36.4 рублей в наличии 86 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI4435FDY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А

  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Производитель
    VISHAY
  • Корпус
    SO8
  • Монтаж
    SMD
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    4,8Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии
    30мОм
  • Технология
    TrenchFET®
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Ток стока
    -12,6А
  • Ток стока в импульсном режиме
    -32А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    28нC
  • Вес
    0.165g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация