SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3
SI4286DY-T1-GE3
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI4286DY-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 195.73 KB
Вы можете запросить у нас любое количество SI4286DY-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI4286DY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,6А; 2,9Вт; SO8

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    2,9Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    3,3нC
  • Ток стока
    5,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    32,5мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Вес
    0.2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text