SI3590DV-T1-GE3

всего в наличии 105948 шт
Количество Цена
1 234 ₽
100 141 ₽
1000 100 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+15 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI3590DV-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI3590DV-T1-GE3 от 100 рублей в наличии 105948 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3590DV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2/-1,3А; Idm: 8А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    0,53Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    4,5/6нC
  • Ток стока
    2/-1,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    77/170мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация