Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SI3493DDV-T1-GE3

SI3493DDV-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 8450 шт
Количество Цена ₽ /шт
5 156
50 92
100 79
500 50
1500 37
Добавить 5 шт. на ₽
В корзину
От 5 шт.
Доступно 8 450 шт.

Условия

  • Минимально 5 и кратно 5
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI3493DDV-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI3493DDV-T1-GE3 от 5 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI3493DDV-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SC74
Выбрано: Показать
Корпус TSOP6
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 3,6Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 52,2нC
Выбрано: Показать
Ток стока -8А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 51,1мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -32А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти