Каталог товаров

SI3493BDV-T1-E3

SI3493BDV-T1-E3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 2534 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 261
10 164
100 109
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 2 534 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI3493BDV-T1-E3

Производитель

Техническое описание

Купить SI3493BDV-T1-E3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI3493BDV-T1-E3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус TSOP6
Выбрано: Показать
Корпус SC74
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 2,97Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 43,5нC
Выбрано: Показать
Ток стока -8А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 45мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -25А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти