SI3460DDV-T1-GE3

всего в наличии 1485 шт
Количество Цена
1 105 ₽
100 63 ₽
1500 36 ₽
6000 33 ₽
30000 31.6 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI3460DDV-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
SI3460DDV-T1-GE3 от 31.6 рублей в наличии 1485 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3460DDV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 7,9А; Idm: 20А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    1,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    18нC
  • Ток стока
    7,9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    28мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    20А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация