SI3459BDV-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 88 шт
Количество Цена
1 227 ₽
10 151 ₽
100 97 ₽
1000 67 ₽
3000 57 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
SI3459BDV-T1-GE3 от 57 рублей в наличии 88 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3459BDV-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Корпус
    SC74
  • Рассеиваемая мощность
    3,3Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    12нC
  • Ток стока
    -2,9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    288мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -8А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация