SI3458BDV-T1-GE3

всего в наличии 220120 шт
Количество Цена
1 218 ₽
100 133 ₽
1000 92 ₽
6000 81 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+12 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI3458BDV-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
SI3458BDV-T1-GE3 от 81 рублей в наличии 220120 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3458BDV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 10А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    2,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    11нC
  • Ток стока
    3,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    100мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    10А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация