SI3457CDV-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 939 шт
Количество Цена
1 184 ₽
50 92 ₽
500 60 ₽
6000 38 ₽
12000 34 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
SI3457CDV-T1-GE3 от 34 рублей в наличии 939 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3457CDV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC74
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    3Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    15нC
  • Ток стока
    -4,1А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    113мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.037g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация