SI3433CDV-T1-GE3

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+3 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI3433CDV-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SI3433CDV-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI3433CDV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    2,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    45нC
  • Ток стока
    -6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    38мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация