SI3429EDV-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1476 шт
Количество Цена
1 1 437 ₽
10 217 ₽
100 69 ₽
500 45 ₽
3000 33 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
SI3429EDV-T1-GE3 от 33 рублей в наличии 1476 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3429EDV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; Idm: -40А; 2,7Вт; TSOP6

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Корпус
    SC74
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    2,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    43,2нC
  • Ток стока
    -8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    38мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -40А
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация