SI3417DV-T1-GE3

всего в наличии 16900 шт
Количество Цена
1 108 ₽
100 64 ₽
1000 41 ₽
9000 32 ₽
45000 30.5 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI3417DV-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI3417DV-T1-GE3 от 30.5 рублей в наличии 16900 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3417DV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    2,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    50нC
  • Ток стока
    -8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    25,2мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -50А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация