SI2377EDS-T1-GE3

всего в наличии 2891 шт
Количество Цена ₽/шт
3 74
25 66
100 59
500 53
3000 49
Бесплатная доставка
и получите
+7 баллов
  • Условия
    Минимально 3 шт и кратно 3 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2377EDS-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
Купить SI2377EDS-T1-GE3 от 3 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2377EDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    1,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    7,6нC
  • Ток стока
    -3,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    61мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация