SI2371EDS-T1-GE3

всего в наличии 13491 шт
Количество Цена ₽/шт
1 108
100 38.4
1000 26.5
6000 23
30000 20.3
Бесплатная доставка
и получите
+3 балла
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2371EDS-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Купить SI2371EDS-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2371EDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    1,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    35нC
  • Ток стока
    -4,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    45мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация