SI2367DS-T1-GE3

всего в наличии 10068 шт
Количество Цена ₽/шт
1 104
100 61
1000 39
6000 33
30000 30
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2367DS-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
Купить SI2367DS-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2367DS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    1,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    9нC
  • Ток стока
    -3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    66мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Вес
    0.02g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация