Каталог товаров

SI2365EDS-T1-BE3

SI2365EDS-T1-BE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1271 шт
Количество Цена ₽ /шт
103 47
207 31.5
Добавить 103 шт. на ₽
В корзину
От 103 шт.
Доступно 1 271 шт.

Условия

  • Минимально 103 и кратно 103
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI2365EDS-T1-BE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI2365EDS-T1-BE3 от 103 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2365EDS-T1-BE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SOT23
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,7Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 36нC
Выбрано: Показать
Ток стока -4,5А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 67,5мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -20А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти