SI2319DS-T1-E3

всего в наличии 4062 шт
Количество Цена ₽/шт
1 260
5 152
25 137
100 121
500 109
Бесплатная доставка
и получите
+16 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2319DS-T1-E3
  • Производитель
    VISHAY
Купить SI2319DS-T1-E3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2319DS-T1-E3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А

  • Напряжение сток-исток
    -40В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -12А
  • Рассеиваемая мощность
    0,8Вт
  • Корпус
    SOT23
  • Технология
    TrenchFET®
  • Полярность
    полевой
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Производитель
    VISHAY
  • Ток стока
    -2,4А
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    130мОм
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    17нC
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    0.026g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация