SI2319DS-T1-E3

всего в наличии 200176 шт
Количество Цена
1 143 ₽
100 101 ₽
1000 87 ₽
6000 70 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+10 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2319DS-T1-E3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
SI2319DS-T1-E3 от 70 рублей в наличии 200176 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI2319DS-T1-E3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    0,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    17нC
  • Ток стока
    -2,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -40В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    130мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -12А
  • Вес
    0.026g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация