SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

всего в наличии 2640 шт

Количество	Цена ₽/шт
1	111
10	76
100	60
500	51
3000	47

+

-

В корзину

Бесплатная доставка

и получите

+7 баллов

Условия

Минимально 1 шт и кратно 1 шт

Срок поставки 4 недели
Цена включает НДС
Артикул
SI2319DDS-T1-GE3
Производитель
VISHAY

Купить SI2319DDS-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastecard и МИР

Visa, Mastecard и МИР

можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2319DDS-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A

Похожие товары

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23

+1988 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

+77850 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23

+97650 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

+3120 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

+3705 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

+7830 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

+6390 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2А; 900мВт; SOT23

+9225 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 900мВт; SOT23

+8415 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; 600мВт; SOT23

+6570 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; 2Вт; SO8

+4725 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; 2Вт; SO8

+3600 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text