SI2319DDS-T1-GE3

всего в наличии 139037 шт
Количество Цена
1 130 ₽
100 77 ₽
1000 49 ₽
9000 37 ₽
45000 36 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2319DDS-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI2319DDS-T1-GE3 от 36 рублей в наличии 139037 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI2319DDS-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Технология
    TrenchFET®
  • Полярность
    unipolar
  • Напряжение сток-исток
    -40V
  • Ток стока
    -3.6A
  • Ток стока в импульсном режиме
    -15A
  • Рассеиваемая мощность
    1.7W
  • Корпус
    SOT23
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0.1Ω
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    19nC
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Вид канала
    enhanced
  • Вес
    0.027g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация