Каталог товаров

SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 118060 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 212
10 130
500 67
3000 52
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 118 060 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI2315BDS-T1-GE3

Производитель

Видео

Техническое описание

Купить SI2315BDS-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2315BDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23

Ток стока -3А
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -12А
Выбрано: Показать
Корпус SOT23
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±8В
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -12В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Заряд затвора 15нC
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,19Вт
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти