SI2312BDS-T1-GE3

всего в наличии 45793 шт
Количество Цена ₽/шт
1 144
100 85
1000 54
6000 46
30000 42
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2312BDS-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Купить SI2312BDS-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2312BDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23

  • Ток стока в импульсном режиме
    15А
  • Рассеиваемая мощность
    0,48Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии
    31мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Монтаж
    SMD
  • Ток стока
    3,9А
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Производитель
    VISHAY
  • Корпус
    SOT23
  • Заряд затвора
    12нC
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация