SI2312BDS-T1-GE3
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии
308189 шт
| Количество | Цена |
|---|---|
| 1 | 225 ₽ |
| 10 | 159 ₽ |
| 500 | 69 ₽ |
| 3000 | 52 ₽ |
| 9000 | 41 ₽ |
+
-
Бесплатная доставка
-
УсловияМинимально 1 и кратно 1Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС -
АртикулSI2312BDS-T1-GE3
-
ПроизводительVISHAY
-
Техническое описание:
SI2312BDS-T1-GE3 от 41 рублей в наличии 308189 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно 
банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
банковской картой или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
SI2312BDS-T1-GE3 описание и характеристики
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23
Смежные товары
Вы смотрели:
