SI2312BDS-T1-GE3

всего в наличии 597326 шт
Количество Цена
1 149 ₽
100 88 ₽
1000 56 ₽
9000 43 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2312BDS-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI2312BDS-T1-GE3 от 43 рублей в наличии 597326 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI2312BDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    0,48Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    12нC
  • Ток стока
    3,9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    31мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    15А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация