SI2308BDS-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI2308BDS-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2308BDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    1,06Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    2,3нC
  • Ток стока
    1,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    192мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Вес
    0.018g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация