Каталог товаров

SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 8 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 110
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 8 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI2305CDS-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI2305CDS-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2305CDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -4,4А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -20A
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1.1W
Выбрано: Показать
Заряд затвора 30nC
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Ток стока -3.5A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -8V
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Корпус SOT23
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 65mΩ
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±8V
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти