Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3
SI2304BDS-T1-GE3
  • SI2304BDS-T1-GE3
  • SI2304BDS-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • наличие в СПб: 4 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 65
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину

Условия

  • Срок поставки 1 рабочий день
  • Цена включает НДС

Артикул

SI2304BDS-T1-GE3

Производитель

Купить SI2304BDS-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2304BDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23

Полярность полевой
Выбрано: Показать
Ток стока 2,6А
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 10А
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30В
Выбрано: Показать
Заряд затвора 4нC
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус SOT23
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,105Ом
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,08Вт
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти