SI2304BDS-T1-GE3

всего в наличии 90852 шт
в г. Санкт-Петербург 4 шт ?Минимальный срок доставки - 1 день
Количество Цена ₽/шт
1 121
100 56
1000 35
6000 31
30000 27.4
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 1 рабочий день
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2304BDS-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Купить SI2304BDS-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2304BDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23

  • Полярность
    полевой
  • Ток стока
    2,6А
  • Ток стока в импульсном режиме
    10А
  • Рассеиваемая мощность
    0,48Вт
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Заряд затвора
    4нC
  • Монтаж
    SMD
  • Производитель
    VISHAY
  • Вид канала
    обогащенный
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Корпус
    SOT23
  • Сопротивление в открытом состоянии
    70мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация