SI2301BDS-T1-GE3

всего в наличии 86653 шт
Количество Цена
1 124 ₽
100 81 ₽
1000 49 ₽
9000 39 ₽
45000 36 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2301BDS-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
SI2301BDS-T1-GE3 от 36 рублей в наличии 86653 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI2301BDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    0,45Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    10нC
  • Ток стока
    -2,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    100мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -10А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация