SI1922EDH-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 12996 шт
Количество Цена
1 120 ₽
100 47.5 ₽
1000 32 ₽
6000 23.4 ₽
15000 22 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+3 балла
SI1922EDH-T1-GE3 от 22 рублей в наличии 12996 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI1922EDH-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70
  • Рассеиваемая мощность
    0,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    2,5нC
  • Ток стока
    1,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    198мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация