SI1922EDH-T1-GE3

всего в наличии 17601 шт
Количество Цена
1 102 ₽
100 60 ₽
1000 38.4 ₽
6000 32.6 ₽
30000 29.5 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI1922EDH-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Купить SI1922EDH-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1922EDH-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70
  • Рассеиваемая мощность
    0,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    2,5нC
  • Ток стока
    1,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    198мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация