SI1922EDH-T1-GE3

всего в наличии 18950 шт
Количество Цена
5 116 ₽
100 60 ₽
1000 27 ₽
10000 25.7 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+3 балла
  • Условия
    Минимально 5 и кратно 5
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI1922EDH-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI1922EDH-T1-GE3 от 25.7 рублей в наличии 18950 шт производства VISHAY, купить от 5 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI1922EDH-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70
  • Рассеиваемая мощность
    0,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    2,5нC
  • Ток стока
    1,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    198мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация