SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3

всего в наличии 27741 шт

Количество	Цена ₽/шт
1	131
100	78
1000	50
6000	42
30000	38

+

-

В корзину

Бесплатная доставка

и получите

+5 баллов

Условия

Минимально 1 шт и кратно 1 шт

Срок поставки 4 недели
Цена включает НДС
Артикул
SI1902DL-T1-GE3
Производитель
VISHAY

Купить SI1902DL-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastecard и МИР

Visa, Mastecard и МИР

можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1902DL-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+7650 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,073А; 0,08Вт; SC70-6

+102600 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

+5310 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

+1125 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+9300 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+5700 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 40/-40В

+20700 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+4125 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+13320 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

+265500 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

+5925 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

+328500 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text