SI1902DL-T1-GE3

всего в наличии 119578 шт
Количество Цена
1 135 ₽
100 80 ₽
1000 51 ₽
9000 40 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI1902DL-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI1902DL-T1-GE3 от 40 рублей в наличии 119578 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI1902DL-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А

  • Производитель
    VISHAY
  • Заряд затвора
    800пC
  • Корпус
    SC70
  • Монтаж
    SMD
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    270мВт
  • Сопротивление в открытом состоянии
    630мкОм
  • Технология
    TrenchFET®
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Ток стока
    660мА
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация