SI1401EDH-T1-GE3

всего в наличии 18755 шт
Количество Цена ₽/шт
1 105
100 62
1000 39
6000 33
30000 30
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI1401EDH-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Купить SI1401EDH-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1401EDH-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70

  • Рассеиваемая мощность
    1,8Вт
  • Заряд затвора
    36нC
  • Полярность
    полевой
  • Ток стока
    -4А
  • Напряжение сток-исток
    -12В
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока в импульсном режиме
    -25А
  • Монтаж
    SMD
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Корпус
    SC70
  • Сопротивление в открытом состоянии
    34мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±10В
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация