SI1401EDH-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 14377 шт
Количество Цена
1 112 ₽
100 47.5 ₽
1000 32 ₽
6000 25 ₽
15000 22.4 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+3 балла
SI1401EDH-T1-GE3 от 22.4 рублей в наличии 14377 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI1401EDH-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70
  • Рассеиваемая мощность
    1,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    36нC
  • Ток стока
    -4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -12В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    34мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±10В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -25А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация