Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 5700 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 55
100 47
500 36
3000 27
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 5 700 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI1308EDL-T1-GE3

Производитель

Видео

Купить SI1308EDL-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1308EDL-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70

Рассеиваемая мощность 0,3Вт
Выбрано: Показать
Заряд затвора 4,1нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Ток стока 1,4А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 6А
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус SC70
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 132мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±12В
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12V
Выбрано: Показать
Корпус SOT323
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти