Каталог товаров

SI1021R-T1-GE3

SI1021R-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 861 шт
Количество Цена ₽ /шт
90 55
179 36.4
Добавить 90 шт. на ₽
В корзину
От 90 шт.
Доступно 861 шт.

Условия

  • Минимально 90 и кратно 90
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI1021R-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI1021R-T1-GE3 от 90 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1021R-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт

Рассеиваемая мощность 0,13Вт
Выбрано: Показать
Заряд затвора 1,7нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Ток стока -0,19А
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -0,65А
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -60В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус SC75A
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 6Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти