SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
  • Условия
    Минимально 38 и кратно 38
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI1013R-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 158.62 KB
Вы можете запросить у нас любое количество SI1013R-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1013R-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A

  • Рассеиваемая мощность
    0,08Вт
  • Заряд затвора
    1,5нC
  • Полярность
    полевой
  • Вид канала
    обогащенный
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Ток стока
    -0,275А
  • Монтаж
    SMD
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Корпус
    SC75A
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,7Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±6В
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text