SI1012X-T1-GE3

всего в наличии 13541 шт
Количество Цена ₽/шт
1 113
100 67
1000 42
6000 36
30000 32.6
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI1012X-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
Купить SI1012X-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1012X-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC89

  • Рассеиваемая мощность
    0,08Вт
  • Заряд затвора
    0,75нC
  • Полярность
    полевой
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Ток стока
    0,35А
  • Монтаж
    SMD
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Корпус
    SC89
  • Сопротивление в открытом состоянии
    700мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±6В
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация