Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3
SI1012R-T1-GE3
  • SI1012R-T1-GE3
  • SI1012R-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

SI1012R-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI1012R-T1-GE3 от 9 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1012R-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SC75A
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 80мВт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Выбрано: Показать
Заряд затвора 0,75нC
Выбрано: Показать
Ток стока 0,35А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,7Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±6В
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±6В
Выбрано: Показать
Вес 0.018g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти