SI1012CR-T1-GE3

всего в наличии 165805 шт
Количество Цена
1 73 ₽
100 28.4 ₽
3000 19.7 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+2 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI1012CR-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
SI1012CR-T1-GE3 от 19.7 рублей в наличии 165805 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI1012CR-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC75A
  • Рассеиваемая мощность
    0,15Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    2нC
  • Ток стока
    0,63А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    396мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация