SH8M51GZETB

SH8M51GZETB

всего в наличии 4786 шт

Количество	Цена
1	608 ₽
10	389 ₽
100	265 ₽
1000	194 ₽
5000	165 ₽

+

-

В корзину

Бесплатная доставка

и получите

+24 балла

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки 4 недели
Цена включает НДС
Артикул
SH8M51GZETB
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR

Купить SH8M51GZETB от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastecard и МИР

Visa, Mastecard и МИР

можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SH8M51GZETB описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 3/-2,5А; Idm: 10÷12А

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+4095 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,073А; 0,08Вт; SC70-6

+45675 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

+15930 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

+3533 балла

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+9750 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+5925 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 40/-40В

+21600 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+4350 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+2325 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+13950 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

+55800 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

+6150 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text