SH8J66TB1

всего в наличии 1793 шт
Количество Цена
1 665 ₽
10 552 ₽
100 403 ₽
500 327 ₽
1000 303 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+45 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SH8J66TB1
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
SH8J66TB1 от 303 рублей в наличии 1793 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SH8J66TB1 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SO8

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Монтаж
    SMD
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Корпус
    SO8
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    35нC
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Полярность
    полевой
  • Сопротивление в открытом состоянии
    24,7мОм
  • Тип транзистора
    P-MOSFET x2
  • Ток стока
    -9А
  • Ток стока в импульсном режиме
    -36А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация